FD200R12PT4_B6 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FD200R12PT4_B6
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FD200R12PT4_B6
FD200R12PT4_B6 Datasheet (PDF)
fd200r12pt4 b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli
fd200r12pt4-b6.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12PT4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTCV = 1200VCESI = 200A / I = 400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli
fd200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD200R12KE3IGBT-modules62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-ChopperHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-Sperrspann
fd200r12ke3p.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFD200R12KE3PIGBT-Module62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereitsaufgetragenem Thermal Interface Material62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled HE diode and pre-appliedThermal Interface MaterialVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VC
Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , GT30F126 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2