FD200R12PT4_B6 - аналоги и описание IGBT

 

FD200R12PT4_B6 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD200R12PT4_B6

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.75 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 37 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD200R12PT4_B6

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD200R12PT4_B6 даташит

 ..1. Size:783K  infineon
 fd200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

FD200R12PT4_B6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli

 3.1. Size:828K  infineon
 fd200r12pt4-b6.pdf pdf_icon

FD200R12PT4_B6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli

 6.1. Size:455K  infineon
 fd200r12ke3.pdf pdf_icon

FD200R12PT4_B6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD200R12KE3 IGBT-modules 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled High Efficiency Diode 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper H chstzul ssige Werte / Maximum Rated Values Kollektor-Emitter-Sperrspann

 6.2. Size:589K  infineon
 fd200r12ke3p.pdf pdf_icon

FD200R12PT4_B6

Technische Information / Technical Information IGBT-Modul FD200R12KE3P IGBT-Module 62mm C-Serien Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled HE Diode und bereits aufgetragenem Thermal Interface Material 62mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled HE diode and pre-applied Thermal Interface Material Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FD1000R17IE4 , FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , SGT60N60FD1P7 , FD250R65KE3-K , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C .

History: FD500R65KE3-K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.