FD250R65KE3-K IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD250R65KE3-K
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 6500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS
Encapsulados: MODULE
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FD250R65KE3-K datasheet
fd250r65ke3-k.pdf
FD250R65KE3-K hochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V = 6500V CES I = 250A / I = 500A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Traktionsumrichter Traction drives Elektrische Eigen
Otros transistores... FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , IKW75N60T , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K .
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