FD250R65KE3-K - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD250R65KE3-K
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4800 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 6500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 250 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 330 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD250R65KE3-K - IGBT
FD250R65KE3-K Datasheet (PDF)
fd250r65ke3-k.pdf
FD250R65KE3-Khochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diodehighly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 6500VCESI = 250A / I = 500AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Traktionsumrichter Traction drivesElektrische Eigen
Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , CRG60T60AK3HD , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2