Справочник IGBT. FD250R65KE3-K

 

FD250R65KE3-K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD250R65KE3-K
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD250R65KE3-K

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD250R65KE3-K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  infineon
 fd250r65ke3-k.pdf pdf_icon

FD250R65KE3-K

FD250R65KE3-Khochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diodehighly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 6500VCESI = 250A / I = 500AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Traktionsumrichter Traction drivesElektrische Eigen

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.