FD250R65KE3-K - аналоги и описание IGBT

 

FD250R65KE3-K - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD250R65KE3-K

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD250R65KE3-K

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD250R65KE3-K даташит

 ..1. Size:518K  infineon
 fd250r65ke3-k.pdf pdf_icon

FD250R65KE3-K

FD250R65KE3-K hochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode highly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode V = 6500V CES I = 250A / I = 500A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Traktionsumrichter Traction drives Elektrische Eigen

Другие IGBT... FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , IKW75N60T , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.