Справочник IGBT. FD250R65KE3-K

 

FD250R65KE3-K Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD250R65KE3-K
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4800 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 250 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 330 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD250R65KE3-K

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD250R65KE3-K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  infineon
 fd250r65ke3-k.pdf pdf_icon

FD250R65KE3-K

FD250R65KE3-Khochisolierendes Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diodehighly insulated module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diodeV = 6500VCESI = 250A / I = 500AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Mittelspannungsantriebe Medium voltage converters Traktionsumrichter Traction drivesElektrische Eigen

Другие IGBT... FD1000R17IE4D_B2 , FD1000R33HE3-K , FD1000R33HL3-K , FD1200R17KE3-K , FD1200R17KE3-K_B2 , FD1400R12IP4D , FD200R12KE3 , FD200R12PT4_B6 , RJH30E2DPP , FD300R06KE3 , FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K .

History: IXBH10N300

 

 
Back to Top

 


 
.