FD401R17KF6C_B2 Todos los transistores

 

FD401R17KF6C_B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD401R17KF6C_B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FD401R17KF6C_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:446K  infineon
 fd401r17kf6c b2.pdf pdf_icon

FD401R17KF6C_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD401R17KF6C_B2IGBT-modules1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MG1240H-XBN2MM | SPT40N120F1A1T8TL | FD400R65KF1-K | SKM500GA123S | IXA20PT1200LB | APTGT200DA170D3 | IXGM40N60

 

 
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