FD401R17KF6C_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD401R17KF6C_B2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Encapsulados: MODULE
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FD401R17KF6C_B2 datasheet
fd401r17kf6c b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD401R17KF6C_B2 IGBT-modules 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorl ufige Daten IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated V
Otros transistores... FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K , FD400R65KF1-K , RJH30E2DPP , FD500R65KE3-K , FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 .
History: FD1200R17KE3-K_B2
History: FD1200R17KE3-K_B2
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