FD401R17KF6C_B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD401R17KF6C_B2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.6 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD401R17KF6C_B2 - IGBT
FD401R17KF6C_B2 Datasheet (PDF)
fd401r17kf6c b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD401R17KF6C_B2IGBT-modules1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V
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Liste
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