FD401R17KF6C_B2 - аналоги и описание IGBT

 

FD401R17KF6C_B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD401R17KF6C_B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD401R17KF6C_B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD401R17KF6C_B2 даташит

 0.1. Size:446K  infineon
 fd401r17kf6c b2.pdf pdf_icon

FD401R17KF6C_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD401R17KF6C_B2 IGBT-modules 1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorl ufige Daten IGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary Data H chstzul ssige Werte / Maximum Rated V

Другие IGBT... FD300R07PE4_B6 , FD300R12KE3 , FD300R12KS4 , FD300R12KS4_B5 , FD400R12KE3_B5 , FD400R33KF2C , FD400R33KF2C-K , FD400R65KF1-K , RJH30E2DPP , FD500R65KE3-K , FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 .

History: FD1200R17KE3-K_B2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.