Справочник IGBT. FD401R17KF6C_B2

 

FD401R17KF6C_B2 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD401R17KF6C_B2
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.6 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD401R17KF6C_B2

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD401R17KF6C_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:446K  infineon
 fd401r17kf6c b2.pdf pdf_icon

FD401R17KF6C_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD401R17KF6C_B2IGBT-modules1700V IGBT Modul mit low loss IGBT der 2.ten Generation und softer Emitter Controlled Diode 1700V IGBT Module with low loss IGBT of 2nd generation and soft Emitter Controlled Diode Vorlufige DatenIGBT, Brems-Chopper / IGBT, Brake-Chopper Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated V

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.