FD650R17IE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD650R17IE4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 650 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de FD650R17IE4 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
FD650R17IE4 datasheet
fd650r17ie4.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD650R17IE4 IGBT-modules PrimePACK 2 Modul und NTC PrimePACK 2 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu
fd650r17ie4d b2.pdf
/ Technical Information IGBT- FD650R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 2 NTC PrimePACK 2 module and NTC / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Chopper Applications Auxiliary I
Otros transistores... FD500R65KE3-K , FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 , GT45F122 , FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV .
History: FD300R06KE3
History: FD300R06KE3
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
irf 830 | mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516