FD650R17IE4 Todos los transistores

 

FD650R17IE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD650R17IE4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 650 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FD650R17IE4 Datasheet (PDF)

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FD650R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

 0.1. Size:1946K  infineon
 fd650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

FD650R17IE4

/ Technical InformationIGBT-FD650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Chopper Applications Auxiliary I

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History: STGWA30IH65DF | IXGR50N160H1

 

 
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