Справочник IGBT. FD650R17IE4

 

FD650R17IE4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD650R17IE4
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 4150
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 1700
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 650
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 6.4
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 90
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD650R17IE4

 

 

FD650R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1725K  infineon
 fd650r17ie4.pdf

FD650R17IE4 FD650R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

 0.1. Size:1946K  infineon
 fd650r17ie4d b2.pdf

FD650R17IE4 FD650R17IE4

/ Technical InformationIGBT-FD650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Chopper Applications Auxiliary I

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top