FD650R17IE4D_B2 Todos los transistores

 

FD650R17IE4D_B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD650R17IE4D_B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 650 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

FD650R17IE4D_B2 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1946K  infineon
 fd650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

FD650R17IE4D_B2

/ Technical InformationIGBT-FD650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Chopper Applications Auxiliary I

 3.1. Size:1725K  infineon
 fd650r17ie4.pdf pdf_icon

FD650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFD650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

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History: IRG4PC50FPBF | FD800R17KF6C_B2 | IXBF50N360 | AFGY100T65SPD | FF225R12ME4_B11 | APT30GT60BRD | 7MBR25VP120-50

 

 
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