FD650R17IE4D_B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD650R17IE4D_B2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 650 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 105 nS
Encapsulados: MODULE
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FD650R17IE4D_B2 datasheet
fd650r17ie4d b2.pdf
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