FD650R17IE4D_B2 - аналоги и описание IGBT

 

FD650R17IE4D_B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD650R17IE4D_B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 650 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 105 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD650R17IE4D_B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD650R17IE4D_B2 даташит

 0.1. Size:1946K  infineon
 fd650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

FD650R17IE4D_B2

/ Technical Information IGBT- FD650R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 2 NTC PrimePACK 2 module and NTC / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typical Applications 3-Level-Applications Chopper Applications Auxiliary I

 3.1. Size:1725K  infineon
 fd650r17ie4.pdf pdf_icon

FD650R17IE4D_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FD650R17IE4 IGBT-modules PrimePACK 2 Modul und NTC PrimePACK 2 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 650A / I = 1300A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

Другие IGBT... FD600R06ME3_B11_S2 , FD600R06ME3_S2 , FD600R12IP4D , FD600R12KF4 , FD600R16KF4 , FD600R17KE3_B2 , FD600R17KF6C_B2 , FD650R17IE4 , YGW40N65F1 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , FD-DF80R12W1H3_B52 .

History: F4-75R12MS4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.