FD-DF80R12W1H3_B52 Todos los transistores

FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FD-DF80R12W1H3_B52

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Encapsulados: MODULE

- Selección ⓘ de transistores por parámetros