FD-DF80R12W1H3_B52 Todos los transistores

 

FD-DF80R12W1H3_B52 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FD-DF80R12W1H3_B52
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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FD-DF80R12W1H3_B52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  infineon
 fd-df80r12w1h3 b52.pdf pdf_icon

FD-DF80R12W1H3_B52

/ Technical InformationIGBT-FD-DF80R12W1H3_B52IGBT-ModuleEasyPACK and PressFIT / NTCEasyPACK module and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications H

Otros transistores... FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , STGB10NB37LZ , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 .

 

 
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