FD-DF80R12W1H3_B52 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FD-DF80R12W1H3_B52
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 215 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
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FD-DF80R12W1H3_B52 Datasheet (PDF)
..1. Size:1271K infineon
fd-df80r12w1h3 b52.pdf
fd-df80r12w1h3 b52.pdf
/ Technical InformationIGBT-FD-DF80R12W1H3_B52IGBT-ModuleEasyPACK and PressFIT / NTCEasyPACK module and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications H
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Liste
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