FD-DF80R12W1H3_B52 - аналоги и описание IGBT

 

FD-DF80R12W1H3_B52 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: FD-DF80R12W1H3_B52

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для FD-DF80R12W1H3_B52

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD-DF80R12W1H3_B52 даташит

 ..1. Size:1271K  infineon
 fd-df80r12w1h3 b52.pdf pdf_icon

FD-DF80R12W1H3_B52

/ Technical Information IGBT- FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT-Module EasyPACK and PressFIT / NTC EasyPACK module and PressFIT / NTC / Preliminary Data V = 1200V CES I = 40A / I = 80A C nom CRM Typical Applications H

Другие IGBT... FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , RJH60F7BDPQ-A0 , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.