Справочник IGBT. FD-DF80R12W1H3_B52

 

FD-DF80R12W1H3_B52 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FD-DF80R12W1H3_B52
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 20 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для FD-DF80R12W1H3_B52

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FD-DF80R12W1H3_B52 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  infineon
 fd-df80r12w1h3 b52.pdf pdf_icon

FD-DF80R12W1H3_B52

/ Technical InformationIGBT-FD-DF80R12W1H3_B52IGBT-ModuleEasyPACK and PressFIT / NTCEasyPACK module and PressFIT / NTC / Preliminary DataV = 1200VCESI = 40A / I = 80AC nom CRM Typical Applications H

Другие IGBT... FD650R17IE4D_B2 , FD800R17KE3_B2 , FD800R17KF6C_B2 , FD800R33KF2C , FD800R33KF2C-K , FD800R33KL2C-K_B5 , FD900R12IP4D , FD900R12IP4DV , STGB10NB37LZ , FF1000R17IE4 , FF1000R17IE4D_B2 , FF200R06YE3 , FF200R12KE4 , FF200R12KS4 , FF200R12KT3 , FF200R12KT3_E , FF200R12KT4 .

 

 
Back to Top

 


 
.