FF1200R12KE3 Todos los transistores

 

FF1200R12KE3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FF1200R12KE3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 230 nS

Encapsulados: MODULE

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FF1200R12KE3 datasheet

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FF1200R12KE3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1200R12KE3 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Application Hochleistungsumrichter High Powe

 5.1. Size:572K  infineon
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FF1200R12KE3

FF1200R12IE5 PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives USV-Systeme UPS s

 5.2. Size:578K  infineon
ff1200r12ie5p.pdf pdf_icon

FF1200R12KE3

FF1200R12IE5P PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumr

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ff1200r17ke3 b2.pdf pdf_icon

FF1200R12KE3

/ Technical Information IGBT- FF1200R17KE3_B2 IGBT-modules IGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage DC T = 80 C, T = 150 C I 1200 A C vj max C n

Otros transistores... FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , GT30F125 , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , FF150R12KS4 , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G .

History: IXSH25N100A | FF1200R17KE3 | FF100R12YT3

 

 

 


History: IXSH25N100A | FF1200R17KE3 | FF100R12YT3

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