FF1200R12KE3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: FF1200R12KE3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF1200R12KE3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
FF1200R12KE3 даташит
ff1200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module FF1200R12KE3 IGBT-modules Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Application Hochleistungsumrichter High Powe
ff1200r12ie5.pdf
FF1200R12IE5 PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives USV-Systeme UPS s
ff1200r12ie5p.pdf
FF1200R12IE5P PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC / pre-applied Thermal Interface Material V = 1200V CES I = 1200A / I = 2400A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumr
ff1200r17ke3 b2.pdf
/ Technical Information IGBT- FF1200R17KE3_B2 IGBT-modules IGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated Values T = 25 C V 1700 V vj CES Collector-emitter voltage DC T = 80 C, T = 150 C I 1200 A C vj max C n
Другие IGBT... FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , GT30F125 , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , FF150R12KS4 , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G .
History: IXSH20N60U1
History: IXSH20N60U1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m








