FF1200R12KE3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF1200R12KE3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
FF1200R12KE3 Datasheet (PDF)
ff1200r12ke3.pdf

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1200R12KE3IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Application Hochleistungsumrichter High Powe
ff1200r12ie5.pdf

FF1200R12IE5PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTCPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTCV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives USV-Systeme UPS s
ff1200r12ie5p.pdf

FF1200R12IE5PPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC / pre-appliedThermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumr
ff1200r17ke3 b2.pdf

/ Technical InformationIGBT-FF1200R17KE3_B2IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C n
Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .
History: APT30GP60BSC | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | IRGIB4620DPBF | BRGH25N120D | IQGB400N60I4 | SMBH1G400US60
History: APT30GP60BSC | KGT15N120NDS | NGTB15N135IHRWG | IRGIB4620DPBF | BRGH25N120D | IQGB400N60I4 | SMBH1G400US60



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m