FF1200R12KE3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: FF1200R12KE3
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 230 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для FF1200R12KE3
FF1200R12KE3 Datasheet (PDF)
ff1200r12ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1200R12KE3IGBT-modulesVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Anwendungen mit hohen Schaltfrequenzen High Frequency Switching Application Hochleistungsumrichter High Powe
ff1200r12ie5.pdf
FF1200R12IE5PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTCPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTCV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives USV-Systeme UPS s
ff1200r12ie5p.pdf
FF1200R12IE5PPrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTC / bereitsaufgetragenem Thermal Interface MaterialPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC / pre-appliedThermal Interface MaterialV = 1200VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumr
ff1200r17ke3 b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-FF1200R17KE3_B2IGBT-modulesIGBT- / IGBT,Inverter Preliminary Data / Maximum Rated ValuesT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageDC T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C n
ff1200r17kp4-b2.pdf
FF1200R17KP4_B2IHM-A /IGBT4IHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRM Potential Applications Medium voltage converters High power converters Tract
ff1200r17ip5.pdf
FF1200R17IP5PrimePACK2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT5, Emitter Controlled 5 Diode und NTCPrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTCV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications Hochleistungsumrichter High power converters Motorantriebe Motor drives Traktionsumrichter
ff1200r17kp4 b2.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModulFF1200R17KP4_B2IGBT-ModuleIHM-A Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled 3 DiodeIHM-A module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 3 diodeV = 1700VCESI = 1200A / I = 2400AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Hochleistungsumrichter High Power Converters Mittelspannu
ff1200r17ke3.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleFF1200R17KE3IGBT-modulesVorlufige DatenIGBT,Wechselrichter / IGBT,Inverter Preliminary DataHchstzulssige Werte / Maximum Rated ValuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1700 Vvj CESCollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstrom T = 80C, T = 150C I 1200 AC vj max C nomContinuous DC collector
Другие IGBT... FF225R17ME4_B11 , FF300R06KE3 , FF300R06KE3_B2 , FF300R07KE4 , FF300R07ME4_B11 , FF100R12KS4 , FF100R12RT4 , FF100R12YT3 , IRG4PH50UD , FF1200R17KE3 , FF1200R17KE3_B2 , FF1200R17KP4_B2 , FF1400R17IP4 , FF150R12KE3G , FF150R12KS4 , FF150R12KS4_B2 , FF150R12KT3G .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2