HGTP6N40E1D Todos los transistores

 

HGTP6N40E1D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HGTP6N40E1D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75

Tensión colector-emisor (Vce): 400

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.9

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 90

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: TO220AB

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HGTP6N40E1D Datasheet (PDF)

2.1. hgtp6n40.pdf Size:40K _harris_semi

HGTP6N40E1D
HGTP6N40E1D

HGTP6N40E1D, S E M I C O N D U C T O R HGTP6N50E1D 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995 Features Package JEDEC TO-220AB • 6A, 400V and 500V EMITTER • Latch Free Operation COLLECTOR • TFALL: < 1.0µs GATE • High Input Impedance COLLECTOR (FLANGE) • Low Conduction Loss • With Anti-Parallel Diode • tRR < 60ns Description

Otros transistores... HGTP3N60B3 , HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND , GT15Q101 , HGTP6N50E1D , HGTP7N60A4 , HGTP7N60A4D , HGTP7N60B3 , HGTP7N60B3D , HGTP7N60C3 , HGTP7N60C3D , IRG4BC10K .

 

 
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