HGTP6N40E1D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTP6N40E1D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G6N40E1D
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 75
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 400
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 7.5
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 4.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 32
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 6.9
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de HGTP6N40E1D - IGBT
HGTP6N40E1D Datasheet (PDF)
hgtp6n40e1d hgtp6n50e1d.pdf
HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:
hgtp6n40.pdf
HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:
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Liste
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