HGTP6N40E1D Todos los transistores

 

HGTP6N40E1D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HGTP6N40E1D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HGTP6N40E1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  1
 hgtp6n40e1d hgtp6n50e1d.pdf pdf_icon

HGTP6N40E1D

HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:

 6.1. Size:40K  harris semi
 hgtp6n40.pdf pdf_icon

HGTP6N40E1D

HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:

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History: APT43GA90BD30 | APT40GP60B2DQ2G | IXGX320N60A3 | IGC11T120T6L | IRGP4650D | AIKW50N60CT

 

 
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