HGTP6N40E1D - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: HGTP6N40E1D

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75W

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.9V

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 90

Корпус: TO220AB

Аналог (замена) для HGTP6N40E1D

HGTP6N40E1D Datasheet (PDF)

2.1. hgtp6n40.pdf Size:40K _harris_semi

HGTP6N40E1D, S E M I C O N D U C T O R HGTP6N50E1D 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995 Features Package JEDEC TO-220AB � 6A, 400V and 500V EMITTER � Latch Free Operation COLLECTOR � TFALL: < 1.0�s GATE � High Input Impedance COLLECTOR (FLANGE) � Low Conduction Loss � With Anti-Parallel Diode � tRR < 60ns Description Terminal Diagram

Другие IGBT... HGTP3N60B3 , HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND , GT15Q101 , HGTP6N50E1D , HGTP7N60A4 , HGTP7N60A4D , HGTP7N60B3 , HGTP7N60B3D , HGTP7N60C3 , HGTP7N60C3D , IRG4BC10K .