HGTP6N50E1D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HGTP6N50E1D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Código de marcado: G6N50E1D
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 75 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 7.5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 4.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 32 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 6.9 nC
Paquete / Cubierta: TO220AB
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HGTP6N50E1D Datasheet (PDF)
hgtp6n40e1d hgtp6n50e1d.pdf
HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:
hgtp6n40.pdf
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