HGTP6N50E1D - аналоги и описание IGBT

 

HGTP6N50E1D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: HGTP6N50E1D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS

Тип корпуса: TO220AB

 Аналог (замена) для HGTP6N50E1D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTP6N50E1D даташит

 ..1. Size:40K  1
 hgtp6n40e1d hgtp6n50e1d.pdf pdf_icon

HGTP6N50E1D

HGTP6N40E1D, S E M I C O N D U C T O R HGTP6N50E1D 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995 Features Package JEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500V EMITTER Latch Free Operation COLLECTOR TFALL

 8.1. Size:40K  harris semi
 hgtp6n40.pdf pdf_icon

HGTP6N50E1D

HGTP6N40E1D, S E M I C O N D U C T O R HGTP6N50E1D 6A, 400V and 500V N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Ultrafast Diodes April 1995 Features Package JEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500V EMITTER Latch Free Operation COLLECTOR TFALL

Другие IGBT... HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND , HGTP6N40E1D , SGP30N60 , HGTP7N60A4 , HGTP7N60A4D , HGTP7N60B3 , HGTP7N60B3D , HGTP7N60C3 , HGTP7N60C3D , IRG4BC10K , IRG4BC10KD .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.