Справочник IGBT. HGTP6N50E1D

 

HGTP6N50E1D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: HGTP6N50E1D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 500 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 7.5 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 32 nS
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HGTP6N50E1D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

HGTP6N50E1D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:40K  1
 hgtp6n40e1d hgtp6n50e1d.pdf pdf_icon

HGTP6N50E1D

HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:

 8.1. Size:40K  harris semi
 hgtp6n40.pdf pdf_icon

HGTP6N50E1D

HGTP6N40E1D,S E M I C O N D U C T O RHGTP6N50E1D6A, 400V and 500V N-Channel IGBTswith Anti-Parallel Ultrafast DiodesApril 1995Features PackageJEDEC TO-220AB 6A, 400V and 500VEMITTER Latch Free OperationCOLLECTOR TFALL:

Другие IGBT... HGTP3N60B3D , HGTP3N60C3 , HGTP3N60C3D , HGTP5N120BN , HGTP5N120BND , HGTP5N120CN , HGTP5N120CND , HGTP6N40E1D , IRGP4066D , HGTP7N60A4 , HGTP7N60A4D , HGTP7N60B3 , HGTP7N60B3D , HGTP7N60C3 , HGTP7N60C3D , IRG4BC10K , IRG4BC10KD .

 

 
Back to Top

 


 
.