SKM450GB12E4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM450GB12E4
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 699 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.82 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1760 pF
Encapsulados: MODULE
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SKM450GB12E4 datasheet
skm450gb12e4.pdf
SKM450GB12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 699 A Tj = 175 C Tc =80 C 538 A ICnom 450 A ICRM ICRM = 3xICnom 1350 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM450GB12E4 Tc
Otros transistores... BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SGT50T65FD1PN , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D .
History: DM2G150SH12A | CT20ASL-8 | MII300-12E4
History: DM2G150SH12A | CT20ASL-8 | MII300-12E4
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