SKM450GB12E4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SKM450GB12E4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 699 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.82 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1760 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 2550 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SKM450GB12E4 - IGBT
SKM450GB12E4 Datasheet (PDF)
skm450gb12e4.pdf
SKM450GB12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 699 ATj = 175 CTc =80C 538 AICnom 450 AICRM ICRM = 3xICnom 1350 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 3tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 440 ATj = 175 CSKM450GB12E4Tc
Otros transistores... BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , YGW60N65F1A1 , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2