SKM450GB12E4 - аналоги и описание IGBT

 

SKM450GB12E4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM450GB12E4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 699 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.82 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 50 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1760 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM450GB12E4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM450GB12E4 даташит

 ..1. Size:334K  semikron
 skm450gb12e4.pdf pdf_icon

SKM450GB12E4

SKM450GB12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 699 A Tj = 175 C Tc =80 C 538 A ICnom 450 A ICRM ICRM = 3xICnom 1350 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 3 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 440 A Tj = 175 C SKM450GB12E4 Tc

Другие IGBT... BSM50GD120DN2 , BSM50GD120DN2E3226 , BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SGT50T65FD1PN , SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.