SKM50GB12T4 Todos los transistores

 

SKM50GB12T4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM50GB12T4

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 81 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 29 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 200 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM50GB12T4 datasheet

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SKM50GB12T4

SKM50GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 81 A Tj = 175 C Tc =80 C 62 A ICnom 50 A ICRM ICRM = 3xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 65 A Tj = 175 C SKM50GB12T4 Tc =80 C 49 A

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SKM50GB12T4

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SKM50GB12T4

SKM50GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25 C 79 A Tj = 175 C Tc =80 C 60 A ICnom 50 A ICRM ICRM = 3xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 15 V Tj = 125 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Inverse diode IF Tc =25 C 65 A Tj = 175 C SKM50GB12V Tc =80 C 49 A IFnom 50 A Target Da

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SKM50GB12T4

SKM50GB063D Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 600 V IC Tc =25 C 70 A Tj = 150 C Tc =75 C 51 A ICnom 50 A ICRM ICRM = 2xICnom 100 A VGES -20 ... 20 V VCC = 300 V SEMITRANS 2 tpsc VGE 20 V Tj = 125 C 10 s VCES 600 V Tj -55 ... 150 C Superfast NPT-IGBT Inverse diode Modules IF Tc =25 C 75 A Tc =80 C 45 A SKM50GB0

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History: IXSX40N60BD1 | MMIX1X340N65B4 | NCE80TD60BT | IXXH100N60C3 | STGF15M65DF2 | STGB35N35LZ | STGD3HF60HDT4

 

 

 

 

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