Справочник IGBT. SKM50GB12T4

 

SKM50GB12T4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: SKM50GB12T4

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.85

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 81

Максимальная температура перехода (Tj): 175

Время нарастания: 29

Емкость коллектора (Cc), pf: 200

Корпус: MODULE

Аналог (замена) для SKM50GB12T4

 

 

SKM50GB12T4 Datasheet (PDF)

1.1. skm50gb12t4.pdf Size:459K _igbt

SKM50GB12T4
SKM50GB12T4

SKM50GB12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25°C 81 A Tj = 175 °C Tc =80°C 62 A ICnom 50 A ICRM ICRM = 3xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS®2 tpsc VGE ≤ 15 V Tj = 150 °C 10 µs VCES ≤ 1200 V Tj -40 ... 175 °C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25°C 65 A Tj = 175 °C SKM50GB12T4 Tc =80°C 49 A

1.2. skm50gb123d.pdf Size:758K _igbt

SKM50GB12T4
SKM50GB12T4



 1.3. skm50gb12v.pdf Size:382K _igbt

SKM50GB12T4
SKM50GB12T4

SKM50GB12V Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES 1200 V IC Tc =25°C 79 A Tj = 175 °C Tc =80°C 60 A ICnom 50 A ICRM ICRM = 3xICnom 150 A VGES -20 ... 20 V VCC = 720 V SEMITRANS® 2 tpsc VGE ≤ 15 V Tj = 125 °C 10 µs VCES ≤ 1200 V Tj -40 ... 175 °C Inverse diode IF Tc =25°C 65 A Tj = 175 °C SKM50GB12V Tc =80°C 49 A IFnom 50 A Target Da

Другие IGBT... BSM50GD120DN2G , BSM50GD170DL , BSM50GD60DLC , BSM50GD60DLC_E3226 , BSM50GP120 , BSM50GP60 , SKM450GB12E4 , SKM50GAL12T4 , IRG7R313U , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 .

Back to Top

 


SKM50GB12T4
  SKM50GB12T4
  SKM50GB12T4
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: RJP30H2A | GT50JR22 | IRGC16B60KB | IRGC16B120KB | IRGC15B120UB | IRGC15B120KB | IRGC100B60UB | IRGC100B60KB | IRGC100B120UB | IRGC100B120KB |
 


 

 

Back to Top