SKM600GB126D Todos los transistores

 

SKM600GB126D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SKM600GB126D

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 660 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 11000 pF

Encapsulados: MODULE

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SKM600GB126D datasheet

 ..1. Size:653K  semikron
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SKM600GB126D

 6.1. Size:922K  semikron
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SKM600GB126D

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SKM600GB126D

SKM600GA12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12T4

 7.2. Size:627K  semikron
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SKM600GB126D

SKM600GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12E4 Tc =8

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History: HIA50N65IH-SA | STGB35N35LZ | NCE80TD60BT | STGD3HF60HDT4 | STGF15M65DF2 | IXXH100N60C3

 

 

 

 

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