Справочник IGBT. SKM600GB126D

 

SKM600GB126D Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SKM600GB126D
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 660 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SKM600GB126D

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM600GB126D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:653K  semikron
 skm600gb126d.pdf pdf_icon

SKM600GB126D

 6.1. Size:922K  semikron
 skm600gb066d.pdf pdf_icon

SKM600GB126D

 7.1. Size:623K  semikron
 skm600ga12t4.pdf pdf_icon

SKM600GB126D

SKM600GA12T4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CFast IGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12T4

 7.2. Size:627K  semikron
 skm600ga12e4.pdf pdf_icon

SKM600GB126D

SKM600GA12E4Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values UnitIGBTVCES Tj =25C 1200 VIC Tc =25C 913 ATj = 175 CTc =80C 702 AICnom 600 AICRM ICRM = 3xICnom 1800 AVGES -20 ... 20 VVCC = 800 VSEMITRANS 4tpsc VGE 15 V Tj =150C 10 sVCES 1200 VTj -40 ... 175 CIGBT4 ModulesInverse diodeIF Tc =25C 707 ATj = 175 CSKM600GA12E4Tc =8

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , RJH3047 , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 .

History: AP50G60W-HF | MG75HF12MIC1

 

 
Back to Top

 


 
.