SKM600GB126D - аналоги и описание IGBT

 

SKM600GB126D - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SKM600GB126D

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 660 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 11000 pF

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SKM600GB126D

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SKM600GB126D даташит

 ..1. Size:653K  semikron
skm600gb126d.pdfpdf_icon

SKM600GB126D

 6.1. Size:922K  semikron
skm600gb066d.pdfpdf_icon

SKM600GB126D

 7.1. Size:623K  semikron
skm600ga12t4.pdfpdf_icon

SKM600GB126D

SKM600GA12T4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C Fast IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12T4

 7.2. Size:627K  semikron
skm600ga12e4.pdfpdf_icon

SKM600GB126D

SKM600GA12E4 Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES Tj =25 C 1200 V IC Tc =25 C 913 A Tj = 175 C Tc =80 C 702 A ICnom 600 A ICRM ICRM = 3xICnom 1800 A VGES -20 ... 20 V VCC = 800 V SEMITRANS 4 tpsc VGE 15 V Tj =150 C 10 s VCES 1200 V Tj -40 ... 175 C IGBT4 Modules Inverse diode IF Tc =25 C 707 A Tj = 175 C SKM600GA12E4 Tc =8

Другие IGBT... SKM50GAL12T4 , SKM50GB12T4 , SKM50GB12V , SKM600GA12E4 , SKM600GA12T4 , SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , IRGP4063D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 .

History: SPD15N65T1T0TL | IXSH45N120B | SGR5N60RUF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.