SII200N06 Todos los transistores

 

SII200N06 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SII200N06
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 730 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 230 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 43 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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SII200N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 230(200) TC= 25(50)oC AICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 AIFRM400 tP =1ms A2VR

 7.1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 290(200) TC= 25(80)oC AICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 1400 W_o_TVj,(Tstg) TOPERATION

Otros transistores... SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , GT45F122 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 .

History: IXGP12N100A

 

 
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