Справочник IGBT. SII200N06

 

SII200N06 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SII200N06
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 230 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

SII200N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 230(200) TC= 25(50)oC AICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 AIFRM400 tP =1ms A2VR

 7.1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 290(200) TC= 25(80)oC AICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 1400 W_o_TVj,(Tstg) TOPERATION

Другие IGBT... SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , MBQ50T65FDSC , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 .

History: SKM150GB124D | IRG4BC30F | 2MBI150HH-120-50 | IXSN35N120AU1 | IXBF20N300 | IRGS4615D | MSG15T120FPE

 

 
Back to Top

 


 
.