SII200N06 - аналоги и описание IGBT

 

SII200N06 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: SII200N06

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 230 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.95 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 43 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для SII200N06

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SII200N06 даташит

 ..1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N06 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter VCES 600 V IC 230(200) TC= 25(50)oC A ICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms A Ptot TC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W _ VGES +20 V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 A IFRM 400 tP =1ms A 2 VR

 7.1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N06

SII200N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 290(200) TC= 25(80)oC A ICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 1400 W _ o _ TVj,(Tstg) TOPERATION

Другие IGBT... SKM600GA12V , SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , RJH3047 , SII200N12 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 .

History: SPT40N120T1BT8TL | NGTB30N65IHL2WG | SPT25N135F1AT8TL | TT025N120FQ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.