SII200N12 Todos los transistores

 

SII200N12 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SII200N12

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1400 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 290 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 2000 pF

Encapsulados: MODULE

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SII200N12 datasheet

 ..1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 290(200) TC= 25(80)oC A ICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 1400 W _ o _ TVj,(Tstg) TOPERATION

 7.1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N06 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter VCES 600 V IC 230(200) TC= 25(50)oC A ICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms A Ptot TC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W _ VGES +20 V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 A IFRM 400 tP =1ms A 2 VR

Otros transistores... SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , IHW20N135R5 , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 .

History: STGWA20IH65DF | VS-GB90SA120U | SII75N12 | SRE40N065FSUDG | SGL40N150D | TGAN40S160FD | YGW50N120FP

 

 

 

 

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