SII200N12 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SII200N12
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1400
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 290
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 125
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 80
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 2000
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de SII200N12 - IGBT
SII200N12 Datasheet (PDF)
sii200n12.pdf
SII200N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 290(200) TC= 25(80)oC AICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 1400 W_o_TVj,(Tstg) TOPERATION
sii200n06.pdf
SII200N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 230(200) TC= 25(50)oC AICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 AIFRM400 tP =1ms A2VR
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Liste
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