SII200N12 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SII200N12  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SII200N12

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SII200N12 даташит

 ..1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N12 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units 1200 VCES V IC 290(200) TC= 25(80)oC A ICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A _ VGES +20 V Ptot 1400 W _ o _ TVj,(Tstg) TOPERATION

 7.1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N06 NPT IGBT Modules Dimensions in mm (1mm = 0.0394") TC = 25oC, unless otherwise specified Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Units IGBT Wechselrichter/ IGBT Inverter VCES 600 V IC 230(200) TC= 25(50)oC A ICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms A Ptot TC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W _ VGES +20 V Diode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 A IFRM 400 tP =1ms A 2 VR

Другие IGBT... SKM600GA176D, SKM600GB066D, SKM600GB126D, SII100N06, SII100N12, SII150N06, SII150N12, SII200N06, IHW20N135R5, SII300N06, SII50N06, SII75N06, SII75N12, MMIX1B15N300C, MMIX1B20N300C, MMIX1G120N120A3V1, MMIX1X200N60B3