Справочник IGBT. SII200N12

 

SII200N12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SII200N12
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 290 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 2000 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для SII200N12

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SII200N12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  sirectifier
 sii200n12.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N12NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values Units1200VCES VIC 290(200) TC= 25(80)oC AICRM 580(400) TC= 25(80)oC, tP =1ms A_VGES+20 VPtot 1400 W_o_TVj,(Tstg) TOPERATION

 7.1. Size:1412K  sirectifier
 sii200n06.pdf pdf_icon

SII200N12

SII200N06NPT IGBT ModulesDimensions in mm (1mm = 0.0394")TC = 25oC, unless otherwise specifiedAbsolute Maximum RatingsSymbol Conditions Values UnitsIGBT Wechselrichter/ IGBT InverterVCES 600 VIC 230(200) TC= 25(50)oC AICRM 400 TC= 50oC, tP =1ms APtotTC= 25oC, Tvj= 150oC 730 W_VGES +20VDiode Wechselrichter/ Diode Inverter IF 200 AIFRM400 tP =1ms A2VR

Другие IGBT... SKM600GA176D , SKM600GB066D , SKM600GB126D , SII100N06 , SII100N12 , SII150N06 , SII150N12 , SII200N06 , CRG60T60AN3H , SII300N06 , SII50N06 , SII75N06 , SII75N12 , MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 .

 

 
Back to Top

 


 
.