MMIX2S50N60B4D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MMIX2S50N60B4D1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 176 pF
Encapsulados: PLASTIC-24PIN
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MMIX2S50N60B4D1 datasheet
mmix2s50n60b4d1.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V Low Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1 IC90 = 30A w/ Diode ES1 G1 ES2 G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab) tfi(typ) = 50ns ES1 E1 Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1 ES2 G2 E1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C1E2 VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V C2 VGES
Otros transistores... MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 , MMIX1X200N60B3H1 , MMIX1X340N65B4 , MMIX1Y100N120C3H1 , MMIX1Y82N120C3H1 , CRG40T60AK3HD , MMIX4B22N300 , SIGC03T60E , SIGC03T60SE , SIGC03T60SNC , SIGC04T60 , SIGC04T60E , SIGC04T60G , SIGC04T60GE .
History: SIGC04T60GS
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