MMIX2S50N60B4D1 Todos los transistores

 

MMIX2S50N60B4D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMIX2S50N60B4D1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 176 pF
   Paquete / Cubierta: PLASTIC-24PIN
 

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MMIX2S50N60B4D1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  ixys
 mmix2s50n60b4d1.pdf pdf_icon

MMIX2S50N60B4D1

Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES

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History: APTGT100X120TE3 | SIW30N65G21F

 

 
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