MMIX2S50N60B4D1 Todos los transistores

 

MMIX2S50N60B4D1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MMIX2S50N60B4D1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 110 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 55 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 176 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 93 nC
   Paquete / Cubierta: PLASTIC-24PIN
     - Selección de transistores por parámetros

 

MMIX2S50N60B4D1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  ixys
 mmix2s50n60b4d1.pdf pdf_icon

MMIX2S50N60B4D1

Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES

Otros transistores... MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 , MMIX1X200N60B3H1 , MMIX1X340N65B4 , MMIX1Y100N120C3H1 , MMIX1Y82N120C3H1 , NGD8201N , MMIX4B22N300 , SIGC03T60E , SIGC03T60SE , SIGC03T60SNC , SIGC04T60 , SIGC04T60E , SIGC04T60G , SIGC04T60GE .

History: SRE160N065FSUD8 | IRG4BC30F | IXSK40N60CD1 | OM6526SA | IXSN35N120AU1 | 2MBI150U2A-060 | IXGH28N90B

 

 
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