Справочник IGBT. MMIX2S50N60B4D1

 

MMIX2S50N60B4D1 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MMIX2S50N60B4D1
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 55 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 176 pF
   Тип корпуса: PLASTIC-24PIN
 

 Аналог (замена) для MMIX2S50N60B4D1

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MMIX2S50N60B4D1 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:284K  ixys
 mmix2s50n60b4d1.pdf pdf_icon

MMIX2S50N60B4D1

Advance Technical InformationVCES = 600VLow Gain IGBT MMIX2S50N60B4D1IC90 = 30Aw/ DiodeES1 G1 ES2G2 VCE(sat) 2.0V (Electrically Isolated Tab)tfi(typ) = 50nsES1E1Short Circuit SOA Capability C1E2 C2 G1ES2G2E1Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 V C1E2VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VC2VGES

Другие IGBT... MMIX1B15N300C , MMIX1B20N300C , MMIX1G120N120A3V1 , MMIX1X200N60B3 , MMIX1X200N60B3H1 , MMIX1X340N65B4 , MMIX1Y100N120C3H1 , MMIX1Y82N120C3H1 , CRG40T60AK3HD , MMIX4B22N300 , SIGC03T60E , SIGC03T60SE , SIGC03T60SNC , SIGC04T60 , SIGC04T60E , SIGC04T60G , SIGC04T60GE .

History: IRGIB4620DPBF | APT50GP60B2DQ2G

 

 
Back to Top

 


 
.