FGT412 Todos los transistores

 

FGT412 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FGT412
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 35 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 20 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 120 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 35 nC
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

FGT412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  sanken-ele
 fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf pdf_icon

FGT412

2-3 IGBTSelection GuideSelection GuideBy VCESVCES IC PCPart Number Package (V) (A) (W)330 20 35 FGT312 TO220F(FM20)330 30 35 FGT313 TO220F(FM20)400 20 35 FGT412 TO220F(FM20)600 20 35 FGT612 TO220F(FM20)600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100)600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100)600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100)600 50 150 MGD623N TO3P(MT100)600 50 150 MGD623S TO3P(MT100)Transistors 15

Otros transistores... FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , IRG4PF50W , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC .

History: APT100GT120JU2 | HGTG27N60C3DR | AOD5B65M1 | APT44GA60S

 

 
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