Справочник IGBT. FGT412

 

FGT412 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: FGT412
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FGT412

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

FGT412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:464K  sanken-ele
 fgm603 fgt312 fgt313 fgt412 fgt612.pdf pdf_icon

FGT412

2-3 IGBTSelection GuideSelection GuideBy VCESVCES IC PCPart Number Package (V) (A) (W)330 20 35 FGT312 TO220F(FM20)330 30 35 FGT313 TO220F(FM20)400 20 35 FGT412 TO220F(FM20)600 20 35 FGT612 TO220F(FM20)600 25 60 FGM622S TO3PF(FM100)600 30 60 FGM603 TO3PF(FM100)600 30 60 FGM623S TO3PF(FM100)600 50 150 MGD623N TO3P(MT100)600 50 150 MGD623S TO3P(MT100)Transistors 15

Другие IGBT... FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , IRG4PF50W , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC .

History: IHW15N120R2 | IKB10N60T | NGTG50N60FWG | DGC40H120M2 | IXGX82N120A3 | NGTB25N120FLWG | FGW75N60H

 

 
Back to Top

 


 
.