FGT412 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: FGT412
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 20 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   trⓘ - Время нарастания типовое: 35 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 120 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 35 nC
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для FGT412

 

 

FGT412 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... FGA60N65SMD , FGA6065ADF , FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , HGTG30N60A4 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC .