2PG001 Todos los transistores

 

2PG001 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PG001
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 86 pF
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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2PG001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG009Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Otros transistores... FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , IRG4PC40W , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS .

History: SGP10N60A | IRGS14C40L

 

 
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