2PG001 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2PG001
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 40
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 300
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 30
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.5
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 400
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 86
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 25
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de 2PG001 - IGBT
2PG001 Datasheet (PDF)
2pg001.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
2pg006.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
2pg009.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG009Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
Liste
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IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ