2PG001 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG001  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 400 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 86 pF

Encapsulados: TO-220F

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2PG001 datasheet

 ..1. Size:300K  panasonic
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2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
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2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Otros transistores... FGA6560WDF, FGH30S130P, GT40WR21, FGM603, FGT312, FGT313, FGT412, FGT612, TGPF30N43P, IKW30N65WR5, MGD633, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, MBQ60T65PES, JNG25N120HS