2PG001 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2PG001
Polaridad de transistor: N-Channel
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40
Tensión colector-emisor (Vce): 300
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.5
Tensión emisor-compuerta (Veg): 30
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 400
Capacitancia de salida (Cc), pF: 86
Empaquetado / Estuche: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de 2PG001 - IGBT
2PG001 Datasheet (PDF)
..1. 2pg001.pdf Size:300K _panasonic
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
9.1. 2pg006.pdf Size:398K _panasonic
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)
Otros transistores... FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , CT60AM-18F , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS .



Liste
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IGBT: JT015N065FED | FGA25S125P | MMGTU75J120U | MMGT75WD120XB6C | MMGT75W120XB6C | MMGT75W120X6C | MMGT75H120X6C | MMGT50W120XB6C | MMGT50W120X6C | MMGT50H120X6C | MMGT40H120XB6C