2PG001 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG001

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40

Tensión colector-emisor (Vce): 300

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 30

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 400

Capacitancia de salida (Cc), pF: 86

Empaquetado / Estuche: TO-220F

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2PG001 Datasheet (PDF)

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

9.1. 2pg006.pdf Size:398K _panasonic

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Otros transistores... FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , CT60AM-18F , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS .