Справочник IGBT. 2PG001

 

2PG001 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 2PG001
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 86 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 25 nC
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для 2PG001

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2PG001 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG001N-channel enhancement mode IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG006Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).IGBT 2PG009Silicon N-channel enhancement IGBTFor plasma display panel driveFor high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat)

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
Back to Top

 


 
.