Справочник IGBT. 2PG001

 

2PG001 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: 2PG001

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.5

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 400

Емкость коллектора (Cc), pf: 86

Корпус: TO-220F

Аналог (замена) для 2PG001

 

 

2PG001 Datasheet (PDF)

1.1. 2pg001.pdf Size:300K _update_igbt

2PG001
2PG001

 This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits  Features  Package  Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) < 2.5 V  Code  High speed hall time: tf = 250 nsec(typ.) TO-220F-A1  Marking Symbol: 2PG001  Absolute Maximum Ratings TC

5.1. 2pg006.pdf Size:398K _panasonic

2PG001
2PG001

 This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits  Package  Features  Code  Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) < 2.4 V TO-220D-A1  High-speed switching: tf = 175 ns (typ.)  Marking Symbol: 2PG006  Pin Name  Absolute

Другие IGBT... FGA6560WDF , FGH30S130P , GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 10N50E1D , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS .

 

 
Back to Top

 


2PG001
  2PG001
  2PG001
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: STGP7NC60KD | STGF7NC60KD | STGB7NC60KD | FGH75T65UPD | STGW38IH120D | MBQ50T65FDSC | SL40N60FL | PDMB100E6 | SSG60N60N | JNG25N120HS |
 

 

 

 

Back to Top