2PG001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: 2PG001  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 30 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 400 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 86 pF

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для 2PG001

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2PG001 даташит

 ..1. Size:300K  panasonic
 2pg001.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG001 N-channel enhancement mode IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.1. Size:398K  panasonic
 2pg006.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG006 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Package Features Code Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

 9.2. Size:417K  fuji
 2pg009.pdf pdf_icon

2PG001

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC). IGBT 2PG009 Silicon N-channel enhancement IGBT For plasma display panel drive For high speed switching circuits Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)

Другие IGBT... FGA6560WDF, FGH30S130P, GT40WR21, FGM603, FGT312, FGT313, FGT412, FGT612, TGPF30N43P, IKW30N65WR5, MGD633, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, MBQ60T65PES, JNG25N120HS