MGD633 Todos los transistores

 

MGD633 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MGD633

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150

Tensión colector-emisor (Vce): 600

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 2.4

Tensión emisor-compuerta (Veg): 30

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150

Tiempo de elevación: 100

Capacitancia de salida (Cc), pF: 150

Empaquetado / Estuche: TO247

Búsqueda de reemplazo de MGD633 - IGBT

 

MGD633 Datasheet (PDF)

1.1. mgd633.pdf Size:935K _update_igbt

MGD633
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VCE = 600 V, IC = 37 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode MGD633 Data Sheet Description Package The MGD633 is 600 V trench IGBT. Sanken original TO247-3L trench structure decreases gate capacitance, and achieves (4) high speed switching and switching loss reduction. Thus, C the IGBT can improve the efficiency of your circuit. Features ● Low Saturation Voltage ● Hi

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