Справочник IGBT. MGD633

 

MGD633 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGD633
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MGD633 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  sanken-ele
 mgd633.pdf pdf_icon

MGD633

VCE = 600 V, IC = 37 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode MGD633 Data Sheet Description Package The MGD633 is 600 V trench IGBT. Sanken original TO247-3L trench structure decreases gate capacitance, and achieves (4) high speed switching and switching loss reduction. Thus, C the IGBT can improve the efficiency of your circuit. Features Low Saturation Voltage Hi

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: SKB04N60 | IGW03N120H2 | IXA27IF1200HJ | RJP6085DPN-00 | TGAN60N65F2DR | APT35GA90B | IRGP4263

 

 
Back to Top

 


 
.