Справочник IGBT. MGD633

 

MGD633 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MGD633
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MGD633

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGD633 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  sanken-ele
 mgd633.pdf pdf_icon

MGD633

VCE = 600 V, IC = 37 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode MGD633 Data Sheet Description Package The MGD633 is 600 V trench IGBT. Sanken original TO247-3L trench structure decreases gate capacitance, and achieves (4) high speed switching and switching loss reduction. Thus, C the IGBT can improve the efficiency of your circuit. Features Low Saturation Voltage Hi

Другие IGBT... GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , RGT50TS65D , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 .

History: CT60AM-18F | IGW40N120H3

 

 
Back to Top

 


 
.