Справочник IGBT. MGD633

 

MGD633 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

Наименование: MGD633

Тип управляющего канала: N-Channel

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.4

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50

Максимальная температура перехода (Tj): 150

Время нарастания: 100

Емкость коллектора (Cc), pf: 150

Корпус: TO247

Аналог (замена) для MGD633

 

 

MGD633 Datasheet (PDF)

1.1. mgd633.pdf Size:935K _update_igbt

MGD633
MGD633

VCE = 600 V, IC = 37 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode MGD633 Data Sheet Description Package The MGD633 is 600 V trench IGBT. Sanken original TO247-3L trench structure decreases gate capacitance, and achieves (4) high speed switching and switching loss reduction. Thus, C the IGBT can improve the efficiency of your circuit. Features ● Low Saturation Voltage ● Hi

Другие IGBT... GT40WR21 , FGM603 , FGT312 , FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , GT60M101 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 .

 

 
Back to Top

 


MGD633
  MGD633
  MGD633
 

social 

Список транзисторов

Обновления

IGBT: STGP7NC60KD | STGF7NC60KD | STGB7NC60KD | FGH75T65UPD | STGW38IH120D | MBQ50T65FDSC | SL40N60FL | PDMB100E6 | SSG60N60N | JNG25N120HS |
 

 

 

 

Back to Top