MGD633 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MGD633  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 150 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MGD633

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MGD633 даташит

 ..1. Size:935K  sanken-ele
 mgd633.pdf pdf_icon

MGD633

VCE = 600 V, IC = 37 A Trench IGBT with Fast Recovery Diode MGD633 Data Sheet Description Package The MGD633 is 600 V trench IGBT. Sanken original TO247-3L trench structure decreases gate capacitance, and achieves (4) high speed switching and switching loss reduction. Thus, C the IGBT can improve the efficiency of your circuit. Features Low Saturation Voltage Hi

Другие IGBT... GT40WR21, FGM603, FGT312, FGT313, FGT412, FGT612, 2PG001, IKW30N65WR5, GT60N321, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, MBQ60T65PES, JNG25N120HS, SSG60N60N, PDMB100E6