GT40RR21 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: GT40RR21
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 230 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1350 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 25 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.05 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: TO3PN
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GT40RR21 Datasheet (PDF)
gt40rr21.pdf
GT40RR21Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT40RR21GT40RR21GT40RR21GT40RR211. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5th generation(2) The RC-IGB
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