GT40RR21 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

GT40RR21 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: GT40RR21
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для GT40RR21

 

GT40RR21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  toshiba
 gt40rr21.pdf pdf_icon

GT40RR21

GT40RR21 Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBT GT40RR21 GT40RR21 GT40RR21 GT40RR21 1. Applications 1. Applications 1. Applications 1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching Applications Note The product(s) described herein should not be used for any other application. 2. Features 2. Features 2. Features 2. Features (1) 6.5th generation (2) The RC-IGB

Другие IGBT... FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT30J122 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D .

 

 
Back to Top

 


 
.