Справочник IGBT. GT40RR21

 

GT40RR21 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: GT40RR21
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 40RR21
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 230 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1350 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 25 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.05 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 120 nS
   Тип корпуса: TO3PN

 Аналог (замена) для GT40RR21

 

 

GT40RR21 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  toshiba
 gt40rr21.pdf

GT40RR21 GT40RR21

GT40RR21Discrete IGBTs Silicon N-Channel IGBTGT40RR21GT40RR21GT40RR21GT40RR211. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Dedicated to Voltage-Resonant Inverter Switching ApplicationsNote: The product(s) described herein should not be used for any other application.2. Features2. Features2. Features2. Features(1) 6.5th generation(2) The RC-IGB

Другие IGBT... FGT313 , FGT412 , FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , IHW20N120R2 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D .

 

 
Back to Top