MBQ60T65PES - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MBQ60T65PES

Código: 60T65PES

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 428

Tensión colector-emisor (Vce): 650

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 1.85

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 100

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 54

Capacitancia de salida (Cc), pF: 270

Empaquetado / Estuche: TO247

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MBQ60T65PES Datasheet (PDF)

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MBQ60T65PES High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation Features General Description High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 60A CE(sat) C Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only E = 0.53mJ @ T = 25C off C the highest efficiency capable of switching behavio

Otros transistores... FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , GT35J321 , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD .