MBQ60T65PES Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MBQ60T65PES  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF

Encapsulados: TO247

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MBQ60T65PES datasheet

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MBQ60T65PES

MBQ60T65PES High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation Features General Description High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChip s Field V = 1.85V @ I = 60A CE(sat) C Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only E = 0.53mJ @ T = 25 C off C the highest efficiency capable of switching behavio

Otros transistores... FGT612, 2PG001, IKW30N65WR5, MGD633, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, GT30G122, JNG25N120HS, SSG60N60N, PDMB100E6, SL40N60FL, MBQ50T65FDSC, STGW38IH120D, FGH75T65UPD, STGB7NC60KD