MBQ60T65PES Todos los transistores

 

MBQ60T65PES - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MBQ60T65PES
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Código de marcado: 60T65PES
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 428 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 54 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 270 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 95 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MBQ60T65PES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  magnachip
 mbq60t65pes.pdf pdf_icon

MBQ60T65PES

MBQ60T65PES High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation Features General Description High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 60A CE(sat) C Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only E = 0.53mJ @ T = 25C off C the highest efficiency capable of switching behavio

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