Справочник IGBT. MBQ60T65PES

 

MBQ60T65PES Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MBQ60T65PES
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Маркировка: 60T65PES
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.85 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 54 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 270 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 95 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MBQ60T65PES

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MBQ60T65PES Datasheet (PDF)

 ..1. Size:584K  magnachip
 mbq60t65pes.pdf pdf_icon

MBQ60T65PES

MBQ60T65PES High Speed Fieldstop Trench IGBT Second Generation Features General Description High Speed Switching & Low Power Loss This IGBT is produced using advanced MagnaChips Field V = 1.85V @ I = 60A CE(sat) C Stop Trench IGBT 2nd Generation Technology, which is not only E = 0.53mJ @ T = 25C off C the highest efficiency capable of switching behavio

Другие IGBT... FGT612 , 2PG001 , IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , HGTG30N60A4 , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD .

 

 
Back to Top

 


 
.