SSG60N60N - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSG60N60N
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 85 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.67 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 200 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 49 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 720 pF
Paquete / Cubierta: TO258
Búsqueda de reemplazo de SSG60N60N - IGBT
SSG60N60N Datasheet (PDF)
ssg60n60.pdf
SSG60N60SERIESSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com85 AMP600 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEETFASTPart Number /Ordering Information 1/POWER IGBTSSG60N60 N _ TXScreening 2/: _ = Not ScreenedAPPLICATION NOTES:TX = TX Level 600V IGBT TechnologyTXV = TXV L
Otros transistores... IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , GT30F132 , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2