Справочник IGBT. SSG60N60N

 

SSG60N60N - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SSG60N60N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 350
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 85
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.67
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 200
   Время нарастания типовое (tr), nS: 49
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 720
   Тип корпуса: TO258

 Аналог (замена) для SSG60N60N

 

 

SSG60N60N Datasheet (PDF)

 6.1. Size:29K  ssdi
 ssg60n60.pdf

SSG60N60N SSG60N60N

SSG60N60SERIESSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com85 AMP600 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEETFASTPart Number /Ordering Information 1/POWER IGBTSSG60N60 N _ TXScreening 2/: _ = Not ScreenedAPPLICATION NOTES:TX = TX Level 600V IGBT TechnologyTXV = TXV L

Другие IGBT... IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , IRG4PC50UD , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD .

 

 
Back to Top