SSG60N60N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SSG60N60N  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 200 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.67 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF

Тип корпуса: TO258

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SSG60N60N

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SSG60N60N даташит

 6.1. Size:29K  ssdi
 ssg60n60.pdf pdf_icon

SSG60N60N

SSG60N60 SERIES SOLID STATE DEVICES, INC. 14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638 Phone (562) 404-7855 * Fax (562) 404-1773 ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com 85 AMP 600 VOLTS DESIGNER'S DATA SHEET FAST Part Number /Ordering Information 1/ POWER IGBT SSG60N60 N _ TX Screening 2/ _ = Not Screened APPLICATION NOTES TX = TX Level 600V IGBT Technology TXV = TXV L

Другие IGBT... IKW30N65WR5, MGD633, GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, MBQ60T65PES, JNG25N120HS, BT60T60ANFK, PDMB100E6, SL40N60FL, MBQ50T65FDSC, STGW38IH120D, FGH75T65UPD, STGB7NC60KD, STGF7NC60KD, STGP7NC60KD