Справочник IGBT. SSG60N60N

 

SSG60N60N Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SSG60N60N
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 85 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.67 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 200 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 49 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 720 pF
   Тип корпуса: TO258
 

 Аналог (замена) для SSG60N60N

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SSG60N60N Datasheet (PDF)

 6.1. Size:29K  ssdi
 ssg60n60.pdf pdf_icon

SSG60N60N

SSG60N60SERIESSOLID STATE DEVICES, INC.14830 Valley View Blvd * La Mirada, Ca 90638Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com85 AMP600 VOLTSDESIGNER'S DATA SHEETFASTPart Number /Ordering Information 1/POWER IGBTSSG60N60 N _ TXScreening 2/: _ = Not ScreenedAPPLICATION NOTES:TX = TX Level 600V IGBT TechnologyTXV = TXV L

Другие IGBT... IKW30N65WR5 , MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , IRG4PC40W , PDMB100E6 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD .

History: SRE80N065FSUD6

 

 
Back to Top

 


 
.