PDMB100E6 Todos los transistores

 

PDMB100E6 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDMB100E6
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 400
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 100
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.1
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 150
   Paquete / Cubierta: MODULE

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PDMB100E6 Datasheet (PDF)

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pdmb100e6.pdf

PDMB100E6 PDMB100E6

QS043-402-203992/5 940.25802- 5.512 11 12 11 12 7(G2) 71 2 366(E2)(C2E1) (E2) (C1)1 2 3543-M523 23 175(E1)4(G1)4-fasten tab#1

 ..2. Size:254K  nippon
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PDMB100E6 PDMB100E6

QS043-402-203992/5 940.25802- 5.512 11 12 11 12 7(G2) 71 2 366(E2)(C2E1) (E2) (C1)1 2 3543-M523 23 175(E1)4(G1)4-fasten tab#1

Otros transistores... MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , TGAN40N60FD , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 .

 

 
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