PDMB100E6 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PDMB100E6
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
Encapsulados: MODULE
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PDMB100E6 datasheet
pdmb100e6.pdf
QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1
pdmb100e6.pdf
QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1
Otros transistores... MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , IRG7S313U , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 .
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