PDMB100E6 Todos los transistores

 

PDMB100E6 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PDMB100E6
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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PDMB100E6 datasheet

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PDMB100E6

QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1... See More ⇒

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PDMB100E6

QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1... See More ⇒

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