PDMB100E6 - аналоги и описание IGBT

 

Аналоги PDMB100E6. Основные параметры


   Наименование: PDMB100E6
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для PDMB100E6

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PDMB100E6 даташит

 ..1. Size:243K  no
 pdmb100e6.pdf pdf_icon

PDMB100E6

QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1

 ..2. Size:254K  nippon
 pdmb100e6.pdf pdf_icon

PDMB100E6

QS043-402-20399 2/5 94 0.25 80 2- 5.5 12 11 12 11 12 7(G2) 7 1 2 3 6 6(E2) (C2E1) (E2) (C1) 1 2 3 5 4 3-M5 23 23 17 5(E1) 4(G1) 4-fasten tab #1

Другие IGBT... MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , IRG7S313U , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.