PDMB100E6 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: PDMB100E6
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 400
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 100
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.1
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 150
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для PDMB100E6

 

 

PDMB100E6 Datasheet (PDF)

Другие IGBT... MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , TGAN40N60FD , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 .