PDMB100E6 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: PDMB100E6
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.1 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 150 nS
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
PDMB100E6 Datasheet (PDF)
pdmb100e6.pdf
QS043-402-203992/5 940.25802- 5.512 11 12 11 12 7(G2) 71 2 366(E2)(C2E1) (E2) (C1)1 2 3543-M523 23 175(E1)4(G1)4-fasten tab#1
pdmb100e6.pdf
QS043-402-203992/5 940.25802- 5.512 11 12 11 12 7(G2) 71 2 366(E2)(C2E1) (E2) (C1)1 2 3543-M523 23 175(E1)4(G1)4-fasten tab#1
Другие IGBT... MGD633 , GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , FGPF4533 , SL40N60FL , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 .
History: NGB8207N | SGB10N60A | OST15N65KRF | STGWA60NC60WDR | RJH60D5DPM | SGL5N60RUFD | MMG50H120H6HN
History: NGB8207N | SGB10N60A | OST15N65KRF | STGWA60NC60WDR | RJH60D5DPM | SGL5N60RUFD | MMG50H120H6HN
Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor