SL40N60FL Todos los transistores

 

SL40N60FL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL40N60FL
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 30 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 80 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 76 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 230 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 110 nC
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

SL40N60FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  slkor
 sl40n60fl.pdf pdf_icon

SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technologyAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Otros transistores... GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , FGW75N60HD , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 , AOB15B65M1 .

History: CI20T120P | SSG55N60M | PDMB100E6 | NGB8207AN

 

 
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