SL40N60FL Todos los transistores

 

SL40N60FL - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SL40N60FL
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Máxima potencia disipada (Pc), W: 300
   Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
   Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 30
   Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 80
   Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
   Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 5.5
   Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
   Tiempo de subida (tr), typ, nS: 76
   Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 230
   Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 110
   Paquete / Cubierta: TO247

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SL40N60FL Datasheet (PDF)

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sl40n60fl.pdf

SL40N60FL SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technologyAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT45F122 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

 

 
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