SL40N60FL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: SL40N60FL  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 76 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для SL40N60FL

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL40N60FL даташит

 ..1. Size:943K  slkor
 sl40n60fl.pdf pdf_icon

SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technology Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Другие IGBT... GT20D201, MBQ40T120FES, GT40RR21, MBQ50T65FESC, MBQ60T65PES, JNG25N120HS, SSG60N60N, PDMB100E6, GT30F131, MBQ50T65FDSC, STGW38IH120D, FGH75T65UPD, STGB7NC60KD, STGF7NC60KD, STGP7NC60KD, AOT15B65M1, AOB15B65M1