Справочник IGBT. SL40N60FL

 

SL40N60FL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL40N60FL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 76 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL40N60FL

 

 

SL40N60FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  slkor
 sl40n60fl.pdf

SL40N60FL SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technologyAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , SGT40N60FD2PN , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

 

 
Back to Top