Справочник IGBT. SL40N60FL

 

SL40N60FL Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL40N60FL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 30 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 80 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5.5 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 76 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 230 pF
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 110 nC
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для SL40N60FL

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

SL40N60FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  slkor
 sl40n60fl.pdf pdf_icon

SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technologyAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Другие IGBT... GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , NCE80TD65BT , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 , AOB15B65M1 .

 

 
Back to Top

 


 
.