Справочник IGBT. SL40N60FL

 

SL40N60FL - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: SL40N60FL
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 300
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 600
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 30
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 80
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 2.15
   Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 5.5
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 76
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 230
   Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 110
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для SL40N60FL

 

 

SL40N60FL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:943K  slkor
 sl40n60fl.pdf

SL40N60FL SL40N60FL

SL40N60FL 600V, 40A, Trench NPT IGBT Features 600V,40A VCE(sat)(typ.)=2.15V@VGE=15V,IC=40A High speed switching Higher system efficiency Soft current turn-off waveforms Square RBSOA using NPT technologyAbsolute Maximum Ratings Symbol Parameter Value Units VCES Collector-Emitter Voltage 600 V VGES Gate-Emitter Voltage + 30 V Continuous Collector Curr

Другие IGBT... GT20D201 , MBQ40T120FES , GT40RR21 , MBQ50T65FESC , MBQ60T65PES , JNG25N120HS , SSG60N60N , PDMB100E6 , IRGB20B60PD1 , MBQ50T65FDSC , STGW38IH120D , FGH75T65UPD , STGB7NC60KD , STGF7NC60KD , STGP7NC60KD , AOT15B65M1 , AOB15B65M1 .

 

 
Back to Top