1MBI50FE-060 Todos los transistores

 

1MBI50FE-060 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBI50FE-060

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS

Encapsulados: MODULE

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1MBI50FE-060 datasheet

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1MBI50FE-060

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI50U4F-120L-50 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 50A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter DB for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier (DB) Active PFC Industrial machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

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