1MBI50FE-060 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI50FE-060
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 220 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Encapsulados: MODULE
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1MBI50FE-060 datasheet
1mbi50fe-060.pdf
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1mbi50u4f-120l-50.pdf
http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI50U4F-120L-50 IGBT Modules IGBT MODULE (U series) 1200V / 50A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter DB for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier (DB) Active PFC Industrial machines Maximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings
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History: 2MBI100SC-120 | 2MBI450VE-120-50
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