Справочник IGBT. 1MBI50FE-060

 

1MBI50FE-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI50FE-060
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI50FE-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  fuji
 1mbi50fe-060.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.1. Size:304K  fuji
 1mbi50l-060.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

 8.2. Size:262K  fuji
 1mbi50u4f-120l-50.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI50U4F-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 50A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... 1MBI400L-120 , 1MBI400N-120 , 1MBI400NA-120 , 1MBI400NN-120 , 1MBI400NP-120 , 1MBI400S-120 , 1MBI400U4-120 , 1MBI400V-120-50 , TGAN60N60F2DS , 1MBI50L-060 , 1MBI600LN-060 , 1MBI600LP-060 , 1MBI600NN-060 , 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 .

History: MMG400K120U6TN | IXBF50N360 | AFGY100T65SPD | IRG4BC20UDPBF | CM300DX-24S | MG17200D-BN4MM

 

 
Back to Top

 


 
.