Справочник IGBT. 1MBI50FE-060

 

1MBI50FE-060 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: 1MBI50FE-060
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 600 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для 1MBI50FE-060

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI50FE-060 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  fuji
 1mbi50fe-060.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.1. Size:304K  fuji
 1mbi50l-060.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

 8.2. Size:262K  fuji
 1mbi50u4f-120l-50.pdf pdf_icon

1MBI50FE-060

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI50U4F-120L-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (U series)1200V / 50A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter DB for Motor DriveAC and DC Servo Drive Amplifier (DB)Active PFCIndustrial machinesMaximum Ratings and Characteristics Absolute Maximum Ratings

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: STGY50NB60HD | APTGF10X60BTP2

 

 
Back to Top

 


 
.