1MBI800U4B-120 Todos los transistores

 

1MBI800U4B-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI800U4B-120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4805 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI800U4B-120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1027K  fuji
 1mbi800u4b-120.pdf pdf_icon

1MBI800U4B-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI800U4B-120 MS5F 6041 S.MiyashitaFeb. 15 05Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki1MS5F604113K.Yamada 4 4 .

 6.1. Size:763K  fuji
 1mbi800ug-330.pdf pdf_icon

1MBI800U4B-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byFuji Electric Systems Co.,Ltd.Module Development DivisionHigh Power Module Gr.Target Specification(Tentative)Device name: IGBT ModuleType name: 1MBI800UG-330Spec. no. : MT5F22460DATE NAME APPROVEDFuji Electri

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History: TT060U065FB | DM2G150SH12AE | APT15GT60KR | SPM1003

 

 
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