1MBI800U4B-120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI800U4B-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 4805
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 1200
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.15
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 8.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 1MBI800U4B-120 - IGBT
1MBI800U4B-120 Datasheet (PDF)
1mbi800u4b-120.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI800U4B-120 MS5F 6041 S.MiyashitaFeb. 15 05Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki1MS5F604113K.Yamada 4 4 .
1mbi800ug-330.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e:mail minsk17@tut.byFuji Electric Systems Co.,Ltd.Module Development DivisionHigh Power Module Gr.Target Specification(Tentative)Device name: IGBT ModuleType name: 1MBI800UG-330Spec. no. : MT5F22460DATE NAME APPROVEDFuji Electri
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Liste
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