1MBI800U4B-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MBI800U4B-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4805 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.15 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de 1MBI800U4B-120 IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
1MBI800U4B-120 datasheet
1mbi800u4b-120.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI800U4B-120 MS5F 6041 S.Miyashita Feb. 15 05 Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki 1 MS5F6041 13 K.Yamada 4 4 .
1mbi800ug-330.pdf
. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Module Development Division High Power Module Gr. Target Specification (Tentative) Device name IGBT Module Type name 1MBI800UG-330 Spec. no. MT5F22460 DATE NAME APPROVED Fuji Electri
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History: 2MBI100SC-120
History: 2MBI100SC-120
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