1MBI800U4B-120 - аналоги и описание IGBT

 

1MBI800U4B-120 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 1MBI800U4B-120

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4805 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1200 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.15 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для 1MBI800U4B-120

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

1MBI800U4B-120 даташит

 ..1. Size:1027K  fuji
 1mbi800u4b-120.pdf pdf_icon

1MBI800U4B-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by IGBT MODULE 1MBI800U4B-120 MS5F 6041 S.Miyashita Feb. 15 05 Feb. 15 05 T.Miyasaka Y.Seki 1 MS5F6041 13 K.Yamada 4 4 .

 6.1. Size:763K  fuji
 1mbi800ug-330.pdf pdf_icon

1MBI800U4B-120

. ./ 8(017)200-56-46 www.fotorele.net e mail minsk17@tut.by Fuji Electric Systems Co.,Ltd. Module Development Division High Power Module Gr. Target Specification (Tentative) Device name IGBT Module Type name 1MBI800UG-330 Spec. no. MT5F22460 DATE NAME APPROVED Fuji Electri

Другие IGBT... 1MBI600NP-060 , 1MBI600PX-120 , 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , GT30F131 , 1MBI800UG-330 , 1MBI900V-120-50 , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 , 2MBI100NB-120 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.