1MBI900V-120-50 Todos los transistores

 

1MBI900V-120-50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1MBI900V-120-50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4280 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1080 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 320 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

1MBI900V-120-50 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:254K  fuji
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1MBI900V-120-50

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/1MBI900V-120-50 IGBT ModulesIGBT MODULE (V series)1200V / 900A / 1 in one packageFeaturesHigh speed switchingVoltage driveLow Inductance module structureApplicationsInverter for Motor DriveAC and DC Servo Drive AmplifierUninterruptible Power SupplyIndustrial machines, such as Welding machinesMaximum Ratings and Charact

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History: 2SH13 | DF160R12W2H3_B11 | MMG200Q120B6HN | 2MBI150VA-060-50 | CM300DU-12NFH | TT075U065FBC

 

 
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