1MBI900V-120-50 Todos los transistores

 

1MBI900V-120-50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1MBI900V-120-50

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4280 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1080 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 320 nS

Encapsulados: MODULE

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1MBI900V-120-50 datasheet

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1MBI900V-120-50

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ 1MBI900V-120-50 IGBT Modules IGBT MODULE (V series) 1200V / 900A / 1 in one package Features High speed switching Voltage drive Low Inductance module structure Applications Inverter for Motor Drive AC and DC Servo Drive Amplifier Uninterruptible Power Supply Industrial machines, such as Welding machines Maximum Ratings and Charact

Otros transistores... 1MBI600PX-140 , 1MBI600S-120 , 1MBI600U4-120 , 1MBI600U4B-120 , 1MBI600V-120-50 , 1MBI75L-060 , 1MBI800U4B-120 , 1MBI800UG-330 , CRG75T60AK3HD , 2MBI1000VXB-170E-50 , 2MBI100HB-120-50 , 2MBI100J-120 , 2MBI100N-060 , 2MBI100N-120 , 2MBI100NB-120 , 2MBI100NC-120 , 2MBI100PC-140 .

History: 2MBI300NB-060 | 1MBI30L-060 | 2MBI450U4N-120-50 | 1MBI600U4-120 | 2MBI150SC-120

 

 

 

 

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